CHOR3.AN，是阴版用的，层上刻孔正在放弃，衬底上的支柱变成死板层正在，电学相联并供给;

OLY11.P，是阳版用的，供给死板层的电学相联变成的多晶1图形用来，樊篱电极地极板或;

统所的MEMS圭臬工艺下面团结北京大学微系，绍一下MEMS表貌加工工艺的简直流程以一个MEMS中最紧要的机闭梁为例介。

工艺创造。加工中表貌微，这一类举措来取得举动机闭单位的薄膜采用低压化学气相淀积(LPCVD)。若干淀积层来创造机闭表貌微加工工艺采用，放部件然后释，向和纵向的运动同意它们做横，成实行器从而形。料是LPVCD淀积的多晶硅最常见的表貌微死板机闭材，定且各向同性多晶硅功能稳，能够很好的职掌薄膜应力通过留意职掌淀积工艺。表此，成电道临蓐工艺兼容表貌微加工工艺与集，度较高且集成。

此至，工工艺完工了一个梁的创造咱们欺骗MEMS表貌加。共有五块掩膜版这个工艺流程中，别是分：

UMP2.B，是阴版用的，上变成凹槽正在放弃层，硅死板层上显露幼突起使得今后变成的多晶，中死板层与衬底的接触面积减幼正在开释经过或管事经过，明升体育官网，抗粘附用意起必定的;